• Sections
  • H - électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 41/27

Brevets de cette classe: 865

Historique des publications depuis 10 ans

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2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
206
Micron Technology, Inc.
24960
166
Kioxia Corporation
9847
116
SK Hynix Inc.
11030
89
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
1940
73
Sandisk Technologies LLC
5684
69
Lodestar Licensing Group LLC
583
38
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
16
Applied Materials, Inc.
16587
12
Macronix International Co., Ltd.
2562
12
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
8
Intel Corporation
45621
6
Lam Research Corporation
4775
6
JPMorgan Chase Bank, National Association
10964
5
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1115
5
Intel NDTM US LLC
373
5
Tokyo Electron Limited
11599
4
ASM IP Holding B.V.
1715
3
Monolithic 3D Inc.
270
3
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1290
2
Autres propriétaires 21